
58,10 ₴
IGBT N-канал GT30F124;
Ноги формовані.
Технічна документація:


| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Країна виробник | Таїланд |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Користувальницькі характеристики | |
| Тип транзистора | MOSFET |
| Тип біполярного транзистора | N-канал |
| Макс. струм колектора | 200A (в імпульсі) |
| Типу канал IGBT: | N-канал |
| Макс. напруга колектор-емітер | 300V |
| Загальне розсіювання при ТК = 25°С | 25W |
| Напр. насичений. VCE | 2.3 V @ IC = 120 A |