56,80 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 грн
IGBT N-канал GT30F124;
Ноги формовані.
Технічна документація:
Основні | |
---|---|
Виробник | Toshiba |
Країна виробник | Таїланд |
Матеріал корпусу | Пластик |
Користувальницькі характеристики | |
Тип транзистора | MOSFET |
Тип біполярного транзистора | N-канал |
Макс. струм колектора | 200A (в імпульсі) |
Типу канал IGBT: | N-канал |
Макс. напруга колектор-емітер | 300V |
Загальне розсіювання при ТК = 25°С | 25W |
Напр. насичений. VCE | 2.3 V @ IC = 120 A |