

282,50 ₴
Транзистор біполярний з N-каналом IGBT GT30J322; 30A, 600 V 75W IGBT diode. (TO-3PN) TOSHIBA.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Користувальницькі характеристики | |
| Напруга колектор-емітер | 600V |
| Колекторний струм | 30A |
| Загальне розсіювання при ТК = 25°С | 75W |