
74,80 ₴
P D F - https://www.mouser.com/datasheet/2/149/FDP12N60NZ-1008035.pdf
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Користувальницькі характеристики | |
| Тип транзистора | MOSFET |
| Тип біполярного транзистора | N-канал |
| Серії | UniFET-II™ |
| Сопр. каналу у відкритому упоряд. Rси вкл., | 650мОм |
| Макс. потужність, що розсіюється Рсі макс.. | 39Вт |
| Крутизна характеристики S | 13.5 |
| Структура | n-канал |
| Макс. напруга стік-витік Uси,В | 600V |
| Корпус | TO-220PF |
| Макс. струм стік-витік при 25 З Іси макс..А | 12A |
| Макс. напр. затвор-витік Uзи макс.,В | ±30V |
| Тип польового транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |