

154 ₴
Транзистор біполярний NPT IGBT
Корпус TO-3P.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Користувальницькі характеристики | |
| Тип транзистора | IGBT |
| Загальне розсіювання при @ TC = 25°C | 312W |
| Колекторний струм @ TC = 25°C | 50A |
| Напруга колектор-емітер | 1200V |
| Загальне розсіювання при @ TC = 100°C | 125W |
| Напр.насыщ. @ IC = 15A and TC = 25°C | 2V |
| Колекторний струм @ TC = 100°C | 25A |