Діоди шотткі

Діод Шотки — напівпровідниковий діод з малим падінням напруги при прямому включенні. Названий на честь німецькогофізика Вальтера Шотткі. У спеціальній літературі часто використовується більш повна назва — Діод з бар'єром Шотткі(ДШБ)^[1].

В діодах Шотткі в якості бар'єру Шотткі використовується перехід метал-напівпровідник, на відміну від звичайних діодів, де використовується p-n перехід. Перехід метал-напівпровідник має ряд особливих властивостей, відмінних від властивостей напівпровідникового p-n переходу). До них відносяться: знижений падіння напруги при прямому включенні, високий струм витоку, дуже маленький заряд зворотного відновлення. Останнє пояснюється тим, що в порівнянні із звичайним p-n переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, т.е. они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.

Диоды Шоттки изготавливаются обычно на основе кремния (Si) или арсенида галлия (GaAs), реже — на основе германия (Ge). Выбор металла для контакта с полупроводником определяет многие параметры диода Шоттки. В первую очередь — это величина контактной разности потенциалов, образующейся на границе металл-полупроводник. При использовании диода Шоттки в качестве детектора она определяет его чувствительность, а при использовании в смесителях — необходимую мощность гетеродина. Поэтому чаще всего используются металлы Ag, Au, Pt, Pd, W, які наносяться на напівпровідник і дають величину потенційного бар'єру 0,2...0,9 ев.

Допустима зворотна напруга випускаються діодів Шотткі обмежена 1200 вольт (CSD05120 та аналоги), на практиці більшість діодів Шотткі застосовується в низьковольтних ланцюгах при зворотному напрузі порядку одиниць і декількох десятків вольт.