
59,40 ₴
IGBT N- канал GT30F124;
Ноги формованные.
Техническая документация:


| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Страна производитель | Таиланд |
| Материал корпуса | Пластик |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип транзистора | MOSFET |
| Тип биполярного транзистора | N-канал |
| Макс. ток коллектора | 200A (в импульсе) |
| Типа канал IGBT: | N-канал |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 300V |
| Общее рассеивание при ТК = 25°С | 25W |
| Напр. насыщен. VCE | 2.3 V @ IC = 120 A |