

288,90 ₴
Транзистор биполярный с N-каналом IGBT GT30J322; 30A, 600 V 75W IGBT diode. (TO-3PN) TOSHIBA.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Материал корпуса | Пластик |
| Пользовательские характеристики | |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |
| Коллекторный ток | 30A |
| Общее рассеивание при ТК = 25°С | 75W |