
76,50 ₴
P D F - https://www.mouser.com/datasheet/2/149/FDP12N60NZ-1008035.pdf
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Материал корпуса | Пластик |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип транзистора | MOSFET |
| Тип биполярного транзистора | N-канал |
| Серии | UniFET-II™ |
| Сопр. канала в открытом сост. Rси вкл., | 650мОм |
| Макс. рассеиваемая мощность Pси макс.. | 39Вт |
| Крутизна характеристики, S | 13.5 |
| Структура | n-канал |
| Макс. напряжение сток-исток Uси,В | 600V |
| Корпус | TO-220PF |
| Макс. ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12A |
| Макс. напр. затвор-исток Uзи макс.,В | ±30V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |