

157,50 ₴
Транзистор биполярный NPT IGBT
Корпус TO-3P.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Материал корпуса | Пластик |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип транзистора | IGBT |
| Общее рассеивание при @ TC = 25°C | 312W |
| Коллекторный ток @ TC = 25°C | 50A |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Общее рассеивание при @ TC = 100°C | 125W |
| Напр.насыщ. @ IC = 15A and TC = 25°C | 2V |
| Коллекторный ток @ TC = 100°C | 25A |