
220,50 ₴
Техническая документация:
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Страна производитель | Китай |
| Материал корпуса | Пластик |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип транзистора | IGBT |
| Напряжение насыщения | 1.65V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |
| Макс. рассеиваемая мощность | 250W |
| Максимальный ток коллектора | 30A |
| Тип управляющего канала: | N-Channel |
| Общее рассеивание при ТК = 25°С | 250W |