



90 ₴
Техническая документация:
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Материал корпуса | Пластик |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип транзистора | IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 330V |
| Общее рассеивание при ТК = 100°С | 12.2W |
| Коллекторный ток импульс @ TC = 25oC | 300A |
| Общее рассеивание при ТК = 25°С | 30.5W |
| Напр. насыщен. VCE | 1.55 V @ IC = 70 A |