



88 ₴
Технічна документація:
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Користувальницькі характеристики | |
| Тип транзистора | IGBT |
| Напруга колектор-емітер | 330V |
| Загальне розсіювання при ТК = 100°С | 12.2 W |
| Колекторний струм імпульс @ TC = 25 o c | 300A |
| Загальне розсіювання при ТК = 25°С | 30.5 W |
| Напр. насичений. VCE | 1.55 V @ IC = 70 A |