
90 ₴
Техническая документация: https://www.fairchildsemi.com/datasheets/FQ/FQP50N06.pdf
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Материал корпуса | Пластик |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип транзистора | MOSFET |
| Тип биполярного транзистора | N-канал |
| Макс. рассеиваемая мощность Pси макс.. | 120Вт |
| Структура | n-канал |
| Макс. напряжение сток-исток Uси,В | 60V |
| Корпус | TO-220 |
| Макс. ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50A |
| Макс. напр. затвор-исток Uзи макс.,В | ±25V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel |