

292,50 ₴
50A, 600 V IGBT diode. (TO-3P)
https://www.renesas.com/en-us/doc/products/transistor/002/r07ds0677ej0100_rjh60f7bdp.pdf
| Описание : кремний N канал IGBT / высокоскоростная Коммутируемая Мощность / к-3Р пакет | ||
![]()
|
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Renesas |
| Страна производитель | Китай |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Вставной |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип транзистора | IGBT |
| Тип биполярного транзистора | N-канал |