
323,10 ₴
Транзистор биполярный IGBT FGH80N60FD (с диодом). Корпус TO-247.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 40 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 116 Вт |
| Пользовательские характеристики | |
| Коллекторный ток @ TC = 25oC | 80A |
| Коллекторный ток @ TC = 100oC | 40A |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |
| Общее рассеивание при ТК = 100°С | 116W |
| Общее рассеивание при ТК = 25°С | 290W |
| Напр. насыщен. VCE | 1.8 V @ IC = 40 A |