
326,30 ₴
Биполярный транзистор TOSHIBA с изолированным затвором, кремниевый N-канальный IGBT
GT60N321
Корпус TO-264.
https://datasheet.octopart.com/GT60N321(Q)-Toshiba-datasheet-9803469.pdf
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Страна производитель | Япония |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Материал корпуса | Пластик |
| Пользовательские характеристики | |
| Напряжение коллектор-эмиттер VCES | 1000V |
| Коллекторный ток | 60A |
| Общее рассеивание при ТК = 25°С | 170W |