
241,20 ₴
Транзистор биполярный с N-каналом IGBT GT50JR22. Корпус TO-3P(N)
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 115 Вт |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Производитель | Toshiba |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 44 А |
| Материал корпуса | Пластик |
| Пользовательские характеристики | |
| Коллекторный ток @ Tc = 25°C | 50A |
| Общее рассеивание при @ Tc = 25°C | 230W |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |