
235,80 ₴
Транзистор біполярний з N-каналом IGBT GT50JR22. Корпус TO-3P(N)
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Виробник | Toshiba |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 44 А |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Користувальницькі характеристики | |
| Колекторний струм @ Tc = 25°C | 50A |
| Загальне розсіювання при @ Tc = 25°C | 230W |
| Напруга колектор-емітер | 600V |